AIエージェントが室温磁性半導体候補を2件発見
原題: Opus 5.5 agents discover two room-temperature magnetic semiconductor candidates
なぜ重要か
AIエージェントによる材料探索が次世代メモリ材料候補の発見に結びついた事例として、研究加速の具体的成果を示す点で注目される。
AI企業Vals AIは2026年4月10日、Claude Opus 5.5のAIエージェントチームが室温で動作する反強磁性半導体の候補材料を2件特定したと発表した。1件は同チームが新たに設計した化合物、もう1件は1999年に初めて合成された既存材料。両者とも正味磁化ゼロながら電子をスピンで選別できると予測されており、次世代コンピューターメモリへの応用が期待される。
Vals AIのGeby Jaff氏が率いるチームは、Claude Opus 5.5を搭載した複数のAIエージェントを用いて材料探索を実施し、「オルタマグネット（altermagnetic）」的な特性を持つ反強磁性半導体の候補を2件見つけた。
通常の強磁性体は原子磁石が同方向を向き、外部に漏れ出す磁場を持つため、高密度実装や高速スイッチングが難しい。一方、通常の反強磁性体は隣接する原子磁石が逆向きに揃い磁場をキャンセルするが、電子スピンをエネルギー準位で選別できないため、スピントロニクスへの応用が困難だった。反強磁性体は強磁性体に比べてスイッチング速度が約1000倍速く、密集実装も可能という利点がある。
今回発見された候補材料は、正味磁化ゼロという反強磁性体の利点を保ちながら、電子をスピン方向（アップ／ダウン）でエネルギー的に選別できる性質を持つと第一原理計算で予測されている。これはMRAM（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）などの次世代不揮発性メモリに直結する特性だ。
同チームはすべての計算結果とコードを公開し、既知の注意点（caveats）のリストも添付している。透明性を重視した姿勢は、AIによる材料探索の再現性・信頼性を問われる昨今の研究コミュニティへの配慮と見られる。1999年合成の材料については既存の実験データとの照合が可能であり、新規設計化合物については今後の実験的検証が待たれる段階だ。