Samsung va doubler sa production de HBM4 en 2027
Original : Samsung is expected to more than double output of its HBM4 and HBM4E DRAM
Pourquoi c'est important
La montée en puissance HBM4 positionne Samsung face à SK Hynix sur le segment le plus rentable de la mémoire IA.
Samsung Electronics prévoit de plus que doubler sa production de puces HBM4 et HBM4E l'année prochaine. La capacité mensuelle passera à 250 000 wafers, et les glass carriers externalisés grimperont de 20 000 à 50 000 unités par mois, selon des sources sectorielles.
Samsung Electronics accélère massivement sur la mémoire HBM haute bande passante. Selon des sources industrielles citées par le Seoul Economic Daily, le géant coréen va multiplier par 2,5 ses commandes externalisées de glass carriers — ces supports en verre indispensables à l'amincissement des wafers DRAM — passant de 20 000 à 50 000 feuilles par mois en 2027. Ces pièces étaient à peine 10 000 unités mensuelles l'an passé.
Les glass carriers jouent un rôle clé dans l'empilement de dies DRAM : ils stabilisent le wafer pendant le meulage et le perçage, opérations critiques pour les stacks de 12 couches et plus visés par HBM4 et HBM4E. La production mensuelle totale d'HBM devrait atteindre 250 000 wafers, contre environ 180 000 cette année, soit une hausse de près de 40 %.
Samsung a lancé la production en masse de HBM4 en février 2026, sur base de DRAM 1c (10 nm) et d'un die de base gravé en 4 nm. En mai, des échantillons de HBM4E en 12 couches ont été envoyés à des clients dont Nvidia. La part des générations HBM4 et HBM4E dans le mix produit devrait passer de 40 % aujourd'hui à 80 % l'an prochain. « Samsung semble placer le HBM4, produit à forte valeur ajoutée, au cœur de son expansion », indique un responsable du secteur.